STS8DN6LF6AG

功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO

制造商:stmicroelectronics

系列:STripFET??

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):27nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1340pF @ 25V

功率 - 最大值:3.2W

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

标准包装:1

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